近年来我国仍然在大力发展半导体产业，而存储器芯片是其中最热门的重点注目领域之一。作为集成电路的三大品类之一，存储器芯片普遍应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域。

对电子产品而言，存储器芯片就像粮食一样不可或缺。存储器芯片领域，主要分成两类：不易失性和非易失性。不易失性：断电以后，存储器内的信息就萎缩了，例如DRAM，电脑中的内存条。

非易失性：断电以后，存储器内的信息依然不存在，主要是存储器（NandFLASH和NORFLASH），NOR主要应用于代码存储介质中，而NAND则用作数据存储。在整个存储器芯片里面，主要有的三种产品是：DRAM、NORFLASH和NandFLASH。其中DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头独占，占到比超过90%以上。

AI存储器商机可期传三星白鱼大幅度跃进DRAM专门高效能AI（人工智能）处理器与服务器打造出的3D填充DRAM，传三星计划跃进三十倍。3D填充DRAM使用硅穿孔（ThroughSiliconVia）技术，可将DRAM芯片横向填充，由于出入地下通道加高，传输速度也大幅度减缓。

韩国媒体ETnews援引产业消息报导认为，三星最近向设备供应商采购新型20台热压黏合封装机（TCB），这是硅穿孔技术的适当设备，且按理来说，新的机具生产量是原先机台的八倍。新的TCB机台今年底可就定位，预估预计三星硅穿孔制程生产能力将可减少三十倍之多。

英特尔与Nvidia现皆朝AI大力发展，也都是三星潜在客户群。除此之外，日前有消息认为苹果正在研发AI专属芯片，将借以处置脸部与语音辨识等工作，可应用于iPhone与iPad等装置，三星似乎已闻到这股AI存储器的新商机就在不远处。美光力拼13纳米DRAM、SK海力士冲刺18纳米三星电子制程领先，首度量产18纳米DRAM，把同业抛掷在脑后。竞争对手美光(Micron)和SK海力士(SKHynix)不甘示弱，争相扔钱要追赶三星。

外媒报导，三星是DRAM龙头，制程领先输掉1~2年，2016年下半年首先量产18纳米DRAM，计划今年下半年前进至15纳米。研究机构估算，今年底为止，三星想把18纳米DRAM的生产比重，提升至30%。业界人士说道，三星不会以利润优先，会扩产抢市，被打乱价格。

三星一马当先，DRAM第三大厂美光拚命追上，计划未来两三年砸下20亿美元，研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂加设无尘室设备，并出售了多项高价生产仪器。转入13纳米制程之后，同一片晶圆能拆分出更加多芯片，生产力将提升20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。

与此同时，SK海力士也打算在今年下半年量产电脑用的18纳米DRAM，接着再行投放移动设备用的18纳米DRAM。SK海力士不会优先提升21纳米制程良率，之后转往20纳米、再行改向18纳米。SK海力士人员透漏，该公司正在研发1yDRAM制程，但是还不确认量产时间。在此之前，三星电子的韩国华城厂(Hwaseong)，将要扩产的传闻蔓延许久。

最新消息表明，三星要求投资3万亿韩元(大约26.4亿美元)提高DRAM生产能力。不过由于未来11线仍然生产DRAM，生产能力一减一减半之下，应当不至于冲击DRAM供给。韩媒曾报导，业界消息认为，三星半导体业务部门将扩展华城厂17线的DRAM生产能力，生产10纳米等级的DRAM。三星已告诉设备厂扩产计划，并在三月份向部分业者下单，估算投资金额大约为2.5万亿~3万亿韩元，完工后每月跃进3.5万片300公厘的硅晶圆，预计今年下半可行性生产。

三星华城厂为综合晶圆厂，17线生产DRAM、11线生产图像传感器和DRAM、16-2线生产3DNANDFlash、S3线生产10纳米系统半导体。如今11线将改以全数生产图像传感器CMOS和CIS，仍然生产DRAM。三星为了填补生产能力损失，要求不断扩大17线的DRAM生产能力。

涉及人士回应，此一投资是为了填补11线生产能力削减和制程微缩损失，对DRAM供需完全没影响。

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